Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPP08CNE8N G
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP08CNE8N G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 85V 95A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 85 V 95A (Tc) 167W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12800577
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP08CNE8N G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
85 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
95A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.4mOhm @ 95A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 130µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
99 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6690 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
167W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IPP08C
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPP08CNE8N G
HTML Спецификация
IPP08CNE8N G-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
IPP08CNE8NGXK
IPP08CNE8NG
IPP08CNE8N G-DG
IPP08CNE8NGX
SP000096466
SP000680846
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
TK34E10N1,S1X
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5
Номер части
TK34E10N1,S1X-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.53
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
PSMN4R6-60PS,127
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7843
Номер части
PSMN4R6-60PS,127-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.15
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
PSMN009-100P,127
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
NXP Semiconductors
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
291
Номер части
PSMN009-100P,127-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.44
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
PSMN5R0-80PS,127
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
23033
Номер части
PSMN5R0-80PS,127-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.37
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
PSMN3R0-60PS,127
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4251
Номер части
PSMN3R0-60PS,127-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.62
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB020N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
IPB65R150CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3
IPB240N03S4LR9ATMA1
MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7
IPD082N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3